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5060304Imagen TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and Storage

TK3R1P04PL,RQ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TK3R1P04PL,RQ
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TK3R1P04PL,RQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    U-MOSIX-H
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.1 mOhm @ 29A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    87W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    TK3R1P04PL,RQ(S2
    TK3R1P04PL,RQTR
    TK3R1P04PLRQ
    TK3R1P04PLRQ(S2
    TK3R1P04PLRQTR
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4670pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

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