TK6R7P06PL,RQ

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Especificaciones

Número de pieza

TK6R7P06PL,RQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK6R7P06PL,RQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 300µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

U-MOSIX-H
RDS (Max) @Id, Vgs

6.7 mOhm @ 23A, 10V
La disipación de energía (máximo)

66W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TK6R7P06PLRQDKR
Temperatura de funcionamiento

175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 46A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

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TK6P60W,RVQ

Descripción: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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