TK750A60F,S4X

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Especificaciones

Número de pieza

TK750A60F,S4X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

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Descripción

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK750A60F,S4X.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220SIS
Serie

U-MOSIX
RDS (Max) @Id, Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

TK750A60F,S4X(S
TK750A60FS4X
TK750A60FS4X(S
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 10A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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