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Casa > Productos > Aisladores > Optoisolators-transistor, salida fotovoltaica > TLP109(IGM,E)
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788416Imagen TLP109(IGM,E)Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(IGM,E)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TLP109(IGM,E)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TLP109(IGM,E).pdf
  • Salida de voltaje - (Max)
    20V
  • Voltaje - Aislamiento
    3750Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    1.64V
  • VCE de saturación (Max)
    -
  • Tiempo de encendido / apagado (típico)
    450ns, 450ns
  • Paquete del dispositivo
    6-SO, 5 Lead
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • Tipo de salida
    Transistor
  • Otros nombres
    TLP109(IGM,E(O
    TLP109(IGME)
    TLP109IGME
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 125°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    DC
  • Descripción detallada
    Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 6-SO, 5 Lead
  • Relación de transferencia de corriente (mín)
    25% @ 10mA
  • Relación de transferencia de corriente (máx)
    75% @ 10mA
  • Corriente - Salida / Canal
    8mA
  • Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)
    20mA

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