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Imagen TP89R103NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TP89R103NL,LQ

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Especificaciones

Número de pieza

TP89R103NL,LQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TP89R103NL,LQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

9.1 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

TP89R103NL,LQ(S
TP89R103NLLQTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 15A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

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