TPC8212-H(TE12LQ,M

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Especificaciones

Número de pieza

TPC8212-H(TE12LQ,M
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf
2.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max

450mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A

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