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7046075Imagen TPCP8005-H(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

TPCP8005-H(TE85L,F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TPCP8005-H(TE85L,F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.TPCP8005-H(TE85L,F.pdf
    2.TPCP8005-H(TE85L,F.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PS-8 (2.9x2.4)
  • Serie
    U-MOSV-H
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12.9 mOhm @ 5.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    840mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Otros nombres
    TPCP8005-HTE85LFTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2150pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 11A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

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