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4790056Imagen TPN1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TPN1110ENH,L1Q
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TPN1110ENH,L1Q.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    114 mOhm @ 3.6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    700mW (Ta), 39W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Otros nombres
    TPN1110ENH,L1Q(M
    TPN1110ENHL1QTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Ta)

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