TPWR8004PL,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPWR8004PL,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPWR8004PL,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DSOP Advance
Serie

U-MOSIX-H
RDS (Max) @Id, Vgs

0.8 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 170W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPWR8004PLL1QCT
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9600pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

103nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

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