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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > TPD3215M
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5146698Imagen TPD3215MTransphorm

TPD3215M

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TPD3215M
  • Fabricante / Marca
    Transphorm
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TPD3215M.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    34 mOhm @ 30A, 8V
  • Potencia - Max
    470W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Otros nombres
    TPH3215M
    TPH3215M-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2260pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    28nC @ 8V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

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