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2287686Imagen 8EWF06STRVishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    8EWF06STR
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    8EWF06STR.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    8A
  • Tensión - Desglose
    D-PAK (TO-252AA)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    VS-8EWF06STR
    VS-8EWF06STR-ND
    VS8EWF06STR
    VS8EWF06STR-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    140ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    8EWF06STR
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 600V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • configuración de diodo
    100µA @ 600V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.2V @ 8A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    600V
  • Capacitancia Vr, F
    -40°C ~ 150°C

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