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5142292Imagen BYG20JHE3/TRVishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3/TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYG20JHE3/TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Avalanche
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5A
  • Tensión - Desglose
    DO-214AC (SMA)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-214AC, SMA
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    75ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    BYG20JHE3/TR
  • Descripción ampliada
    Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • configuración de diodo
    1µA @ 600V
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.4V @ 1.5A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    600V
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 150°C
BYG20J/54

BYG20J/54

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20JHM3_A/I

BYG20JHM3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20J-M3/TR

BYG20J-M3/TR

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20GHM3/TR3

BYG20GHM3/TR3

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
BYG20J-E3/TR3

BYG20J-E3/TR3

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
BYG20J M2G

BYG20J M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BYG20J-M3/TR3

BYG20J-M3/TR3

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG21K-E3/TR3

BYG21K-E3/TR3

Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20JHM3_A/H

BYG20JHM3_A/H

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20JHM3/TR

BYG20JHM3/TR

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
BYG20JHM3/TR3

BYG20JHM3/TR3

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
BYG20JHE3_A/I

BYG20JHE3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20J-E3/TR

BYG20J-E3/TR

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20GHM3_A/I

BYG20GHM3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20J R3G

BYG20J R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BYG20GHM3_A/H

BYG20GHM3_A/H

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG21K-M3/TR

BYG21K-M3/TR

Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG20JHE3/TR3

BYG20JHE3/TR3

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
BYG20JHE3_A/H

BYG20JHE3_A/H

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BYG21K-E3/TR

BYG21K-E3/TR

Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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