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2744144Imagen BYG23MHE3/TR3Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3/TR3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYG23MHE3/TR3
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.BYG23MHE3/TR3.pdf
    2.BYG23MHE3/TR3.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Avalanche
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5A
  • Tensión - Desglose
    DO-214AC (SMA)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-214AC, SMA
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    75ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    BYG23MHE3/TR3
  • Descripción ampliada
    Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • configuración de diodo
    5µA @ 1000V
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.7V @ 1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1000V (1kV)
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 150°C

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