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6496788Imagen BYM11-50-E3/96Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-50-E3/96

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYM11-50-E3/96
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.BYM11-50-E3/96.pdf
    2.BYM11-50-E3/96.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Tensión - Desglose
    DO-213AB
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    BYM11-50-E3/96
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-213AB
  • configuración de diodo
    5µA @ 50V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.3V @ 1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    50V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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BYM11-800HE3/96

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BYM11-400-E3/97

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

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