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154966Imagen GP10T-M3/54Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10T-M3/54

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GP10T-M3/54
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GP10T-M3/54.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Tensión - Desglose
    DO-204AL (DO-41)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    5pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    3µs
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    GP10T-M3/54
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1300V (1.3kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • configuración de diodo
    5µA @ 1300V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.1V @ 1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1300V (1.3kV)
  • Capacitancia Vr, F
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Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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GP10T-E3/54

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL

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GP10QHE3/54

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO204AL

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL

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GP10THE3/73

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO204AL

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO204AL

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.4KV 1A DO204AL

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GP10T-E3/73

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GP10TE-M3/73

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