GPP100MS-E3/54

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Especificaciones

Número de pieza

GPP100MS-E3/54
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GPP100MS-E3/54.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

10A
Tensión - Desglose

P600
Serie

-
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

110pF @ 4V, 1MHz
Polarización

P600, Axial
Otros nombres

GPP100MS-E3/54GICT
Temperatura de funcionamiento - Junction

5.5µs
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

GPP100MS-E3/54
Descripción ampliada

Diode Standard 1000V (1kV) 10A Through Hole P600
configuración de diodo

5µA @ 1000V
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.05V @ 10A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

1000V (1kV)
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 175°C

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Descripción: GAUGE PUSH-PULL 0-2025 GR/0-72OZ

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Descripción: GAUGE PUSH-PULL 0-6840 GR/0-15LB

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Descripción: GAUGE PUSH-PULL 0-1000 GR/0-35OZ

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GPP-8

Descripción: GAUGE PUSH-PULL 0-220 GR/0-8OZ

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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

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Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

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Descripción: GAUGE PUSH-PULL 0-1020 GR/0-36OZ

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Descripción: GAUGE PUSH-PULL 0-500 GR/0-16OZ

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

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