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2313300Imagen RGP10MHE3/53Vishay Semiconductor Diodes Division

RGP10MHE3/53

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RGP10MHE3/53
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SW 1A 1000V 500NS DO204AL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RGP10MHE3/53.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Tensión - Desglose
    DO-204AL (DO-41)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Estado RoHS
    Tape & Box (TB)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    RGP10MHE3/53
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • configuración de diodo
    5µA @ 1000V
  • Descripción
    DIODE SW 1A 1000V 500NS DO204AL
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.3V @ 1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1000V (1kV)
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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