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3975433Imagen RS2K-M3/52TVishay Semiconductor Diodes Division

RS2K-M3/52T

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS2K-M3/52T
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SW 1.5A 800V 500NS DO214AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5A
  • Tensión - Desglose
    DO-214AA (SMB)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    17pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    DO-214AA, SMB
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    500ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    27 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    RS2K-M3/52T
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 800V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • configuración de diodo
    5µA @ 800V
  • Descripción
    DIODE SW 1.5A 800V 500NS DO214AA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.3V @ 1.5A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    800V
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 150°C
RS2KAHR3G

RS2KAHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS2KAHM2G

RS2KAHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS2KA R3G

RS2KA R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS2JHE3_A/I

RS2JHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2KHE3/52T

RS2KHE3/52T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2K R5G

RS2K R5G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS2JHE3/5BT

RS2JHE3/5BT

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2K M4G

RS2K M4G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS2KA-13

RS2KA-13

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS2K-M3/5BT

RS2K-M3/5BT

Descripción: DIODE SW 1.5A 800V 500NS DO214AA

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
RS2KA M2G

RS2KA M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS2JHE3_A/H

RS2JHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2K-E3/52T

RS2K-E3/52T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2KHE3_A/H

RS2KHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2JHE3/52T

RS2JHE3/52T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2KHE3/5BT

RS2KHE3/5BT

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2K-13

RS2K-13

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS2K-E3/5BT

RS2K-E3/5BT

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2KA-13-F

RS2KA-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS2K-13-F

RS2K-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
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