S1AFM-M3/6B

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Especificaciones

Número de pieza

S1AFM-M3/6B
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
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Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

S1AFM-M3/6B.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1A
Tensión - Desglose

DO-221AC (SlimSMA)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

7.9pF @ 4V, 1MHz
Polarización

DO-221AC, SMA Flat Leads
Temperatura de funcionamiento - Junction

1.47µs
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Número de pieza del fabricante

S1AFM-M3/6B
Descripción ampliada

Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount DO-221AC (SlimSMA)
configuración de diodo

5µA @ 1000V
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.1V @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

1000V (1kV)
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 150°C

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