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370448Imagen VS-10ETS10STRRPBFVishay Semiconductor Diodes Division

VS-10ETS10STRRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    VS-10ETS10STRRPBF
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE RECT 1000V 10A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    VS-10ETS10STRRPBF.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    10A
  • Tensión - Desglose
    TO-263AB (D²PAK)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    VS10ETS10STRRPBF
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    VS-10ETS10STRRPBF
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1000V (1kV) 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • configuración de diodo
    50µA @ 1000V
  • Descripción
    DIODE RECT 1000V 10A D2PAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.1V @ 10A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1000V (1kV)
  • Capacitancia Vr, F
    -40°C ~ 150°C

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

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Descripción: DIODE RECT 800V 10A D2PAK

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

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Descripción: DIODE RECT 800V 10A D2PAK

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Descripción: DIODE RECT 1000V 10A D2PAK

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Descripción: DIODE RECT 1200V 10A D2PAK

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