VS-1N3209R

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Especificaciones

Número de pieza

VS-1N3209R
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 15A DO203AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

VS-1N3209R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

15A
Tensión - Desglose

DO-203AB
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

DO-203AB, DO-5, Stud
Otros nombres

*1N3209R
1N3209R
1N3209R-ND
Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Número de pieza del fabricante

VS-1N3209R
Descripción ampliada

Diode Standard 100V 15A Chassis, Stud Mount DO-203AB
configuración de diodo

10mA @ 100V
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 15A DO203AB
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.5V @ 15A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100V
Capacitancia Vr, F

-65°C ~ 175°C

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VS-1N3213

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 15A DO203AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

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