VS-1N3890

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Especificaciones

Número de pieza

VS-1N3890
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

VS-1N3890.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

12A
Tensión - Desglose

DO-203AA
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres

*1N3890
1N3890
1N3890-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction

300ns
Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Número de pieza del fabricante

VS-1N3890
Descripción ampliada

Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA
configuración de diodo

25µA @ 100V
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.4V @ 12A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100V
Capacitancia Vr, F

-65°C ~ 150°C

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Descripción: DIODE GEN PURP 300V 12A DO203AA

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

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