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491077Imagen VS-20ETF10-M3Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF10-M3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    VS-20ETF10-M3
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE INPUT 20A TO-220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    VS-20ETF10-M3.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    20A
  • Tensión - Desglose
    TO-220AC
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tube
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    TO-220-2
  • Otros nombres
    VS20ETF10M3
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    95ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    VS-20ETF10-M3
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1000V (1kV) 20A Through Hole TO-220AC
  • configuración de diodo
    100µA @ 1000V
  • Descripción
    DIODE INPUT 20A TO-220
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.3V @ 20A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1000V (1kV)
  • Capacitancia Vr, F
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