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3166110Imagen VS-8EWS12STRRPBFVishay Semiconductor Diodes Division

VS-8EWS12STRRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    VS-8EWS12STRRPBF
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE RECTIFIER 1200V 8A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    VS-8EWS12STRRPBF.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    8A
  • Tensión - Desglose
    D-PAK (TO-252AA)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    VS8EWS12STRRPBF
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    VS-8EWS12STRRPBF
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • configuración de diodo
    50µA @ 1200V
  • Descripción
    DIODE RECTIFIER 1200V 8A DPAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.1V @ 8A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Capacitancia Vr, F
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252

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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK

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