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1852944Imagen VS-HFA08PB120-N3Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA08PB120-N3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    VS-HFA08PB120-N3
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE HEXFRED 8A 1200V TO-247AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    VS-HFA08PB120-N3.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    8A
  • Tensión - Desglose
    TO-247AC Modified
  • Serie
    HEXFRED®
  • Estado RoHS
    Tube
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    TO-247-2
  • Otros nombres
    VSHFA08PB120N3
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    95ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    13 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    VS-HFA08PB120-N3
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Through Hole TO-247AC Modified
  • configuración de diodo
    10µA @ 1200V
  • Descripción
    DIODE HEXFRED 8A 1200V TO-247AC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    3.3V @ 8A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 150°C

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC

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