IRFIBF30GPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFIBF30GPBF
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFIBF30GPBF.pdf
Voltaje - Prueba

1200pF @ 25V
Tensión - Desglose

TO-220-3
VGS (th) (Max) @Id

3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tube
RDS (Max) @Id, Vgs

1.9A (Tc)
Polarización

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres

*IRFIBF30GPBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Número de pieza del fabricante

IRFIBF30GPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

78nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

900V
relación de capacidades

35W (Tc)

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