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3596027Imagen BUJ403A/DG,127WeEn Semiconductors Co., Ltd

BUJ403A/DG,127

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BUJ403A/DG,127
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 550V 6A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BUJ403A/DG,127.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    550V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 2A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    100W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    934065586127
    BUJ403ADG127
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 550V 6A 100W Through Hole TO-220AB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 500mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    6A

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