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2412802Imagen BYV32E-150,127WeEn Semiconductors Co., Ltd

BYV32E-150,127

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYV32E-150,127
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BYV32E-150,127.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.15V @ 20A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    150V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    1740-1168
    568-11329-5
    568-11329-5-ND
    934011680127
    BYV32E-150
    BYV32E-150,127-ND
    BYV32E-150-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 150V 20A Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    30µA @ 150V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    20A
  • Número de pieza base
    BYV32-150

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Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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