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BYV430K-300PQ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYV430K-300PQ
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    BYV430K-300PQ.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.25V @ 30A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    300V
  • Paquete del dispositivo
    TO-3P
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    55ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Otros nombres
    934069531127
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300V 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 300V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    30A

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