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6775999Imagen NXPSC10650QWeEn Semiconductors Co., Ltd

NXPSC10650Q

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NXPSC10650Q
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NXPSC10650Q.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AC
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Otros nombres
    1740-1221
    934068068127
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    250µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
  • Capacitancia Vr, F
    300pF @ 1V, 1MHz

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC

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Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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Descripción: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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NXPSC20650Q

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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Descripción: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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