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TB100EP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TB100EP
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    TB100EP.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    700V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 150mA, 750mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Otros nombres
    934068209412
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 1A 2W Through Hole TO-92-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    14 @ 100mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A

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