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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W632GG6MB-11 TR

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Imagen W632GG6MB-11 TR

Winbond Electronics Corporation

W632GG6MB-11 TR

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3000+

$5.025

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Especificaciones

Número de pieza

W632GG6MB-11 TR
Fabricante / Marca

Winbond Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

W632GG6MB-11 TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.425 V ~ 1.575 V
Tecnología

SDRAM - DDR3
Paquete del dispositivo

96-VFBGA (13x7.5)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

96-VFBGA
Otros nombres

W632GG6MB-11 TR-ND
W632GG6MB-11TR
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

2Gb (128M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-VFBGA (13x7.5)
Frecuencia de reloj

933MHz
Tiempo de acceso

20ns

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