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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W632GU8MB12I

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Imagen W632GU8MB12I

Winbond Electronics Corporation

W632GU8MB12I

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Especificaciones

Número de pieza

W632GU8MB12I
Fabricante / Marca

Winbond Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.W632GU8MB12I.pdf
2.W632GU8MB12I.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.283 V ~ 1.45 V
Tecnología

SDRAM - DDR3
Paquete del dispositivo

78-VFBGA (8x10.5)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

78-VFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

2Gb (128M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 78-VFBGA (8x10.5)
Frecuencia de reloj

800MHz
Tiempo de acceso

20ns

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