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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W949D2DBJX5I TR
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1119480Imagen W949D2DBJX5I TRWinbond Electronics Corporation

W949D2DBJX5I TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W949D2DBJX5I TR
  • Fabricante / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    W949D2DBJX5I TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    90-TFBGA
  • Otros nombres
    W949D2DBJX5I TR-ND
    W949D2DBJX5ITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns

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Descripción: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

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Descripción: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

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Descripción: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

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Descripción: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

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Descripción: IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA

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