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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W9812G6KH-5 TR
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3211321Imagen W9812G6KH-5 TRWinbond Electronics Corporation

W9812G6KH-5 TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W9812G6KH-5 TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    W9812G6KH-5 TR-ND
    W9812G6KH-5TR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 4.5ns 54-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    4.5ns
W9816G6JB-6 TR

W9816G6JB-6 TR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6KH-5

W9812G6KH-5

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9816G6IB-6

W9816G6IB-6

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G2KB-6I TR

W9812G2KB-6I TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6KH-6I TR

W9812G6KH-6I TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6KH-6I

W9812G6KH-6I

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6JB-6I TR

W9812G6JB-6I TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9816G6IH-6I

W9816G6IH-6I

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9816G6JB-6I

W9816G6JB-6I

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9816G6IH-6

W9816G6IH-6

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9816G6JB-6

W9816G6JB-6

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6JH-5

W9812G6JH-5

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G2KB-6I

W9812G2KB-6I

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6JH-6I

W9812G6JH-6I

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6JB-6

W9812G6JB-6

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6JB-6I

W9812G6JB-6I

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6KH-6

W9812G6KH-6

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6JB-6 TR

W9812G6JB-6 TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9812G6KH-6 TR

W9812G6KH-6 TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6IH-6

W9812G6IH-6

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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