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4472232Imagen 1N4006FFON Semiconductor

1N4006FF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4006FF
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N4006FF.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Tensión - Desglose
    DO-41
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    1N4006FF
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • configuración de diodo
    10µA @ 800V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.1V @ 1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    800V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

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