1N4006-T

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Especificaciones

Número de pieza

1N4006-T
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1N4006-T.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

800V
Paquete del dispositivo

DO-41
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-204AL, DO-41, Axial
Otros nombres

1N4006DITR
1N4006T
1N4006TR
1N4006TR-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz
Número de pieza base

1N4006

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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