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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N6667
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4572415Imagen 2N6667AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N6667

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N6667
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    2N6667.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 100mA, 10A
  • Tipo de transistor
    PNP - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    2N6667OS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A
  • Número de pieza base
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Fabricantes: Micrel / Microchip Technology
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