2N6661JTXV02

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Especificaciones

Número de pieza

2N6661JTXV02
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

2N6661JTXV02.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-39
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

90V
Descripción detallada

N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

860mA (Tc)

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2N6661JTXL02

Descripción: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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