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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SB1121S-TD-E
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4087412Imagen 2SB1121S-TD-EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1121S-TD-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SB1121S-TD-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SB1121S-TD-E.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    25V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    600mV @ 75mA, 1.5A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    PCP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    500mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-243AA
  • Otros nombres
    2SB1121S-TD-E-ND
    2SB1121S-TD-EOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    150MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 2A 150MHz 500mW Surface Mount PCP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 100mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    2A

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