2SB1216S-E

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Especificaciones

Número de pieza

2SB1216S-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 100V 4A TP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SB1216S-E.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TP
Serie

-
Potencia - Max

1W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

130MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 130MHz 1W Through Hole TP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

4A
Número de pieza base

2SB1216

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