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3707056Imagen 2SB1216T-HAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1216T-H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SB1216T-H
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 100V 4A TP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SB1216T-H.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 200mA, 2A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    130MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 130MHz 1W Through Hole TP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    4A
  • Número de pieza base
    2SB1216

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