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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SC4134S-E
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347557Imagen 2SC4134S-EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC4134S-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SC4134S-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 100V 1A TP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SC4134S-E.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 40mA, 400mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    120MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 120MHz 800mW Through Hole TP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    140 @ 100mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A
  • Número de pieza base
    2SC4134

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Descripción: TRANS NPN 50V 0.15A USM

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Descripción: TRANS NPN 50V 0.15A USM

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Descripción: TRANS NPN 120V 2A SOT89

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2SC4153

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Descripción: TRANS NPN 120V 7A TO220F

Fabricantes: Sanken Electric Co., Ltd.
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Descripción: TRANS NPN 100V 1A TP

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2SC4135S-TL-E

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Descripción: TRANS NPN 100V 2A TP-FA

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