2SK3826

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Especificaciones

Número de pieza

2SK3826
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SK3826.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.75W (Ta), 45W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 26A (Ta) 1.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Ta)

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