2SK3868(Q,M)

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Especificaciones

Número de pieza

2SK3868(Q,M)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.2SK3868(Q,M).pdf
2.2SK3868(Q,M).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220SIS
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.7 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

35W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "2SK3868(Q,M)".

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

Descripción: TRANSISTOR

Fabricantes: Renesas Electronics America

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