4N35SR2VM

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Especificaciones

Número de pieza

4N35SR2VM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

4N35SR2VM.pdf
Salida de voltaje - (Max)

30V
Voltaje - Aislamiento

4170Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

1.18V
VCE de saturación (Max)

300mV
Tiempo de encendido / apagado (típico)

2µs, 2µs
Paquete del dispositivo

6-SMD
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Gull Wing
Tipo de salida

Transistor with Base
Otros nombres

4N35SR2VM-ND
4N35SR2VMTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 100°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descripción detallada

Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
Relación de transferencia de corriente (mín)

100% @ 10mA
Relación de transferencia de corriente (máx)

-
Corriente - Salida / Canal

-
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

60mA
Número de pieza base

4N35

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