4N35W

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Especificaciones

Número de pieza

4N35W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

4N35W.pdf
Salida de voltaje - (Max)

30V
Voltaje - Aislamiento

5300Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

1.18V
VCE de saturación (Max)

300mV
Tiempo de encendido / apagado (típico)

2µs, 2µs
Paquete del dispositivo

6-DIP
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

6-DIP (0.400", 10.16mm)
Tipo de salida

Transistor with Base
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 100°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descripción detallada

Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Relación de transferencia de corriente (mín)

100% @ 10mA
Relación de transferencia de corriente (máx)

-
Corriente - Salida / Canal

-
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

100mA
Número de pieza base

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