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4528320Imagen 55GN01FA-TL-HAMI Semiconductor / ON Semiconductor

55GN01FA-TL-H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    55GN01FA-TL-H
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    55GN01FA-TL-H.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    10V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    3-SSFP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    250mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-81
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    1.9dB @ 1GHz
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
  • Frecuencia - Transición
    4.5GHz ~ 5.5GHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz ~ 5.5GHz 250mW Surface Mount 3-SSFP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    70mA

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Descripción: FUSE 5.5KV 30E DIN E RATE SQD

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Descripción: FUSE 5.5KV 175E DIN E RATE SQD

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Descripción: FUSE 5.5KV 40E DIN E RATE SQD

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Descripción: FUSE 5.5KV 65E DIN E RATE

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Descripción: FUSE 5.5KV 80E DIN E RATED SQD

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Descripción: FUSE 5.5KV 300E DIN E RATED

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Descripción: FUSE 5.5KV 350E DIN E RATED

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Descripción: FUSE 5.5KV 250E DIN E RATED

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Descripción: FUSE 5.5KV 200E DIN E RATE SQD

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55GFMSJ200ES

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Descripción: FUSE 5.5KV 200E DIN E RATE SIEME

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Descripción: FUSE 5.5KV 400E DIN E RATE SIEME

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Descripción: FUSE 5.5KV 25E DIN E RATE SQD

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Descripción: FUSE 5.5KV 450E DIN E RATE SQD

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55GFMSJ175ES

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Descripción: FUSE 5.5KV 175E DIN E RATE SIEME

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Descripción: FUSE 5.5KV 150E DIN E RATE SQD

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55GN01MA-TL-E

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