ATP208-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

ATP208-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ATP208-TL-H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ATPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 45A, 10V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

ATPAK (2 leads+tab)
Otros nombres

869-1083-2
ATP208TLH
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

83nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 90A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Ta)

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Descripción: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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