ATP202-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

ATP202-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ATP202-TL-H.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

1650pF @ 10V
Tensión - Desglose

ATPAK
VGS (th) (Max) @Id

12 mOhm @ 25A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Digi-Reel®
RDS (Max) @Id, Vgs

50A (Ta)
Polarización

ATPAK (2 leads+tab)
Otros nombres

869-1078-6
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

ATP202-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

27nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 30V 50A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30V
relación de capacidades

40W (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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